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IXFM20N60
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

Id-連續(xù)漏極電流:20 A

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:350 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-3

封裝:Tube

商標:IXYS

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:40 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:43 ns

工廠包裝數(shù)量:20

商標名:HiPerFET

典型關(guān)閉延遲時間:70 ns

典型接通延遲時間:20 ns

IXFM20N60

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IXFM20N60	HiPerFET Power MOSFETs	IXYS[IXYS Corporation]	82.08 Kbytes	共4頁	IXFN73N30Q,IXFH21N50,IXFR180N10,IXFN180N06,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFA3N80,IXFK25N90,IXFN340N06,IXFH26N50	產(chǎn)品購買
IXFM20N60	HIPERFET Power MOSFTETs	IXYS[IXYS Corporation]	295.27 Kbytes	共8頁	IXFN73N30Q,IXFH21N50,IXFR180N10,IXFX62N25,IXFK55N50,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFA3N80,IXFK25N90,IXFN340N06	產(chǎn)品購買
IXFM20N60	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	187.03 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買