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IXFM10N100
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:10 A

Vds-漏源極擊穿電壓:1000 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-3

封裝:Tube

商標(biāo):IXYS

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:32 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:33 ns

工廠包裝數(shù)量:20

典型關(guān)閉延遲時間:62 ns

典型接通延遲時間:21 ns

介紹圖IXFM10N100
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IXFM10N100HiPerFET Power MOSFETs IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)82.12 Kbytes共4頁IXFM10N100的PDF文件地址IXFN73N30Q,IXFH26N50,IXFH48N50,IXFN180N06,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFA3N80,IXFK25N90,IXFN340N06,IXFH32N50 IXFM10N100的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IXFM10N100HIPERFET Power MOSFTETs IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)295.27 Kbytes共8頁IXFM10N100的PDF文件地址IXFN73N30Q,IXFH21N50,IXFR180N10,IXFX62N25,IXFK55N50,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFA3N80,IXFK25N90,IXFN340N06 IXFM10N100的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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