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通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：108 A

最大漏源電壓：300 V

最大漏源電阻值：16 m0hms

最大柵閾值電壓：5V

最大柵源電壓：-20 V、+20 V

封裝類型：ISOPLUS264

安裝類型：通孔

晶體管配置：單

引腳數(shù)目：3

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：520 W

最低工作溫度：-55 °C

高度：26.42mm

每片芯片元件數(shù)目：1

最高工作溫度：+150 °C

長度：20.29mm

系列：HiperFET, Polar3

寬度：5.31mm

晶體管材料：Si

典型柵極電荷@Vgs：268 nC @ 10 V

典型輸入電容值@Vds：16200 pF@ 25 V

典型關(guān)斷延遲時間：94 ns

典型接通延遲時間：46 ns

尺寸：20.29 x 5.31 x 26.42mm

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs