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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-264-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:550 V

Id-連續(xù)漏極電流:60 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:88 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:735 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:HyperFET

封裝:Tube

高度:26.16 mm

長(zhǎng)度:19.96 mm

系列:IXFK60N55

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.13 mm

商標(biāo):IXYS

下降時(shí)間:9 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:14 ns

工廠包裝數(shù)量:25

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:57 ns

典型接通延遲時(shí)間:22 ns

單位重量:10 g