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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-264-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:850 V

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:105 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:152 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:890 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:HiPerFET

封裝:Tube

系列:X-Class

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):IXYS

正向跨導(dǎo) - 最小值:19 S

下降時(shí)間:14 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:30 ns

工廠包裝數(shù)量:25

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:69 ns

典型接通延遲時(shí)間:27 ns