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IXFK36N60P
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-264-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:36 A

Rds On-漏源導通電阻:190 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:650 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HiPerFET

封裝:Tube

高度:26.16 mm

長度:19.96 mm

系列:IXFK36N60

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.13 mm

商標:IXYS

正向跨導 - 最小值:39 S

下降時間:22 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:25 ns

工廠包裝數(shù)量:25

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:80 ns

典型接通延遲時間:30 ns

單位重量:10 g

介紹圖IXFK36N60P
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IXFK36N60PPolarHV HiPerFET Power MOSFET IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)274.33 Kbytes共4頁IXFK36N60P的PDF文件地址 IXFK36N60P的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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