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IXFK27N80
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-264-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Id-連續(xù)漏極電流:27 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:300 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HyperFET

封裝:Tube

高度:26.16 mm

長度:19.96 mm

系列:IXFK27N80

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.13 mm

商標:IXYS

正向跨導(dǎo) - 最小值:28 S

下降時間:40 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:80 ns

工廠包裝數(shù)量:25

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:75 ns

典型接通延遲時間:30 ns

單位重量:10 g

IXFK27N80

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IXFK27N80	HiPerFETTM Power MOSFETs	IXYS[IXYS Corporation]	162.51 Kbytes	共4頁	IXFH7N90Q,IXFH90N20Q,IXFR44N60,IXFN44N80,IXFR120N20,IXFH70N15,IXFH20N80Q,IXFR21N100Q,IXFH80N085,IXFN34N80	產(chǎn)品購買
IXFK27N80	HiPerFET Power MOSFETs	IXYS[IXYS Corporation]	157.32 Kbytes	共4頁	IXFK30N100Q2,IXFR40N50Q2,RJK6014DPP,IXFN130N30,MRF6S21140HR3_07,PD57006-E,MRF7S19170HR3,MRF19045LR3_06,MRF6V2150NR1_08	產(chǎn)品購買
IXFK27N80	HiPerFET Power MOSFETs	IXYS[IXYS Corporation]	168.09 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買
IXFK27N80Q	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS	IXYS[IXYS Corporation]	55.88 Kbytes	共2頁	IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFR44N50Q,IXFH15N100Q,IXFH9N80Q,IXFH40N30Q,IXFK44N55Q,IXFH16N90Q,IXFB80N50Q2,IXFH15N80Q	產(chǎn)品購買
IXFK27N80Q_02	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS	IXYS[IXYS Corporation]	96.66 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買

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