制造商:IXYS
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-264-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
Id-連續(xù)漏極電流:24 A
Rds On-漏源導通電阻:400 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:105 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:650 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:HiPerFET
封裝:Tube
高度:26.59 mm
長度:20.29 mm
系列:IXFK24N80
晶體管類型:1 N-Channel
類型:PolarHV HiPerFET Power MOSFET
寬度:5.31 mm
商標:IXYS
正向跨導 - 最小值:15 S
下降時間:24 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:27 ns
工廠包裝數量:25
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:75 ns
典型接通延遲時間:32 ns
單位重量:10 g