制造商:IXYS
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-264-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:170 A
Rds On-漏源導通電阻:9 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:198 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:714 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:HiPerFET
封裝:Tube
高度:26.59 mm
長度:20.29 mm
系列:IXFK170N10
晶體管類型:1 N-Channel
類型:PolarHT HiPerFET Power MOSFET
寬度:5.31 mm
商標:IXYS
正向跨導 - 最小值:45 S
下降時間:33 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:50 ns
工廠包裝數(shù)量:25
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:90 ns
典型接通延遲時間:35 ns
單位重量:10 g