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IXFK140N20P
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-264-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:140 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:18 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:830 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HiPerFET

封裝:Tube

高度:26.16 mm

長度:19.96 mm

系列:IXFK140N20

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.13 mm

商標:IXYS

下降時間:90 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:35 ns

工廠包裝數(shù)量:25

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:150 ns

典型接通延遲時間:30 ns

單位重量:10 g

介紹圖IXFK140N20P
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IXFK140N20PPolarHT HiPerFET Power MOSFET IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)231.54 Kbytes共5頁IXFK140N20P的PDF文件地址 IXFK140N20P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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