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IXFH8N80
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Id-連續(xù)漏極電流:8 A

Rds On-漏源導通電阻:1.1 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:180 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HyperFET

封裝:Tube

高度:21.46 mm

長度:16.26 mm

系列:IXFH8N80

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.3 mm

商標:IXYS

下降時間:35 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:15 ns

工廠包裝數量:30

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:70 ns

典型接通延遲時間:35 ns

單位重量:6.500 g

介紹圖IXFH8N80
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IXFH8N80HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網206.2 Kbytes共4頁IXFH8N80的PDF文件地址IXFT10N100,APT20M20JLL,APT5010JLL,APT5016BLL,APT1001RBLC,APT5018BFLL,APT20M16B2LL,APT5010B2LC,APT50M65B2FLL,APT60M60JLL IXFH8N80的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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