通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：80 A
最大漏源電壓：650 V
最大漏源電阻值：38 m0hms
最大柵閾值電壓：5V
最小柵閾值電壓：3.5V
最大柵源電壓：±30 V
封裝類型：TO-247
安裝類型：通孔
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：890 W
最低工作溫度：-55 °C
高度：21.34mm
正向二極管電壓：1.4V
每片芯片元件數(shù)目：1
尺寸：16.13 x 5.21 x 21.34mm
寬度：5.21mm
系列：HiperFET
典型柵極電荷@Vgs：140 @ 10 V nC
典型輸入電容值@Vds：8300 pF @ 25 V
典型關斷延遲時間：70 ns
典型接通延遲時間：32 ns
最高工作溫度：+150 °C
長度：16.13mm
正向跨導：55S
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs