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  • IXFH6N100Q PDF文件_規(guī)格信息
IXFH6N100Q
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV

Id-連續(xù)漏極電流:6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.9 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:180 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:HyperFET

封裝:Tube

高度:21.46 mm

長度:16.26 mm

系列:IXFH6N100

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.3 mm

商標(biāo):IXYS

下降時間:12 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:15 ns

工廠包裝數(shù)量:30

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:22 ns

典型接通延遲時間:10 ns

單位重量:6.500 g

介紹圖IXFH6N100Q
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IXFH6N100QHiPerFET Power MOSFETs Q-Class IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)124.68 Kbytes共2頁IXFH6N100Q的PDF文件地址 IXFH6N100Q的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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