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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:60 A

Rds On-漏源導通電阻:52 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.7 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:107 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:780 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HiPerFET

封裝:Tube

系列:650V Ultra Junction X2

商標:IXYS

正向跨導 - 最小值:29 S

下降時間:12 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:40 ns

工廠包裝數(shù)量:30

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:50 ns

典型接通延遲時間:37 ns

單位重量:1.600 g