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IXFH60N20F
規(guī)格信息:

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

Id-連續(xù)漏極電流:60 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:38 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:315 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

封裝:Tube

商標(biāo):IXYS

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:7 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:14 ns

工廠包裝數(shù)量:30

典型關(guān)閉延遲時間:42 ns

典型接通延遲時間:15 ns

介紹圖IXFH60N20F
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IXFH60N20FHiPerRFTM Power MOSFETs IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)104.28 Kbytes共2頁IXFH60N20F的PDF文件地址SD2918,IRF130,IRF820,SML100B13,SML10S75,SML20S67,SML40J93,SML50S26,SML60S18,2N7227 IXFH60N20F的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IXFH60N20F_08HiPerRF Power MOSFET F-Class: MegaHertz Switching IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)103.11 Kbytes共2頁IXFH60N20F_08的PDF文件地址 IXFH60N20F_08的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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