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通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：50 A

最大漏源電壓：300 V

最大漏源電阻值：80 m0hms

最大柵閾值電壓：6.5V

最大柵源電壓：-20 V、+20 V

封裝類型：TO-247

安裝類型：通孔

引腳數(shù)目：3

晶體管配置：單

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：690 W

最低工作溫度：-55 °C

最高工作溫度：+150 °C

每片芯片元件數(shù)目：1

長度：16.26mm

系列：HiperFET, Q3-Class

寬度：5.3mm

晶體管材料：Si

典型柵極電荷@Vgs：65 nC @ 10 V

典型輸入電容值@Vds：3160 pF @ 25 V

典型關斷延遲時間：24 ns

典型接通延遲時間：14 ns

尺寸：16.26 x 5.3 x 16.26mm

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs