制造商:IXYS
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:75 V
Id-連續(xù)漏極電流:400 A
Rds On-漏源導通電阻:2.3 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:420 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:1 kW
通道模式:Enhancement
商標名:HiPerFET
封裝:Tube
高度:21.46 mm
長度:16.26 mm
系列:IXFH400N075
類型:TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
寬度:5.3 mm
商標:IXYS
正向跨導 - 最小值:80 S
下降時間:44 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:20 ns
工廠包裝數(shù)量:30
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:67 ns
典型接通延遲時間:35 ns
單位重量:1.600 g