制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:28 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:260 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:50 nC
Pd-功率耗散:695 W
配置:Single
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
系列:IXFH28N60
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:30 S, 18 S
下降時間:19 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:18 ns
工廠包裝數(shù)量:30
子類別:MOSFETs
單位重量:1.600 g