制造商:IXYS
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:220 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:136 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:440 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
系列:IXF
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:87 S
下降時(shí)間:17 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:20 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:30
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:46 ns
典型接通延遲時(shí)間:24 ns
單位重量:6 g