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IXFH26N50
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

Id-連續(xù)漏極電流:26 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:200 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:HyperFET

封裝:Tube

高度:21.46 mm

長度:16.26 mm

系列:IXFH26N50

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.3 mm

商標(biāo):IXYS

正向跨導(dǎo) - 最小值:21 S

下降時間:30 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:33 ns

工廠包裝數(shù)量:30

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:65 ns

典型接通延遲時間:16 ns

單位重量:6.500 g

IXFH26N50

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IXFH26N50	HiPerFET Power MOSFETs	IXYS[IXYS Corporation]	158.0 Kbytes	共4頁	IXFN73N30Q,IXFH21N50,IXFH48N50,IXFN180N06,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFA3N80,IXFK25N90,IXFN340N06,IXFH32N50	產(chǎn)品購買
IXFH26N50	HIPERFET Power MOSFTETs	IXYS[IXYS Corporation]	295.27 Kbytes	共8頁	IXFN73N30Q,IXFH21N50,IXFR180N10,IXFX62N25,IXFK55N50,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFA3N80,IXFK25N90,IXFN340N06	產(chǎn)品購買
IXFH26N50P	Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode	IXYS[IXYS Corporation]	211.72 Kbytes	共5頁	IXFH26N60P,BYW172D,FES26A,BYW72,BYM36,IRFP460PBF,40EPF,BY9300,BYD73,BYV4100	產(chǎn)品購買
IXFH26N50P3	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier	IXYS[IXYS Corporation]	306.3 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買
IXFH26N50Q	HiPerFET Power MOSFETs	IXYS[IXYS Corporation]	134.05 Kbytes	共4頁	IXFN73N30Q,IXFH26N50,IXFH48N50,IXFN180N06,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFA3N80,IXFK25N90,IXFN340N06,IXFH32N50	產(chǎn)品購買

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