通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：30 A
最大漏源電壓：500 V
最大漏源電阻值：200 m0hms
最大柵閾值電壓：6.5V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：TO-247
安裝類型：通孔
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：690 W
最低工作溫度：-55 °C
高度：16.26mm
每片芯片元件數(shù)目：1
最高工作溫度：+150 °C
系列：HiperFET, Q3-Class
寬度：5.3mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：62 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：3200 pF @ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：26 ns
典型接通延遲時(shí)間：14 ns
尺寸：16.26 x 5.3 x 16.26mm
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs