制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:75 V
Id-連續(xù)漏極電流:340 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.2 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:300 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:935 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
系列:IXFH340N075
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:65 S
下降時(shí)間:35 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:50 ns
工廠包裝數(shù)量:30
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60 ns
典型接通延遲時(shí)間:26 ns
單位重量:1.600 g