包裝管件
系列HiPerFET?，TrenchT2?
零件狀態(tài)有源
FET 類型N 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）150V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）76A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）22 毫歐 @ 38A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）97nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）5800pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）350W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型通孔
供應商器件封裝TO-247
封裝/外殼TO-247-3