系列:HiPerFET?,Polar3?
FET類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):94A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):102nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):5510pF @ 25V
Vgs(最大值):±20V
功率耗散(最大值):1040W(Tc)
不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):36 毫歐 @ 47A,10V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
封裝形式Package:TO-247AD
極性Polarity:N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS:300V
連續(xù)漏極電流ID:94A
無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
IXFH94N30P3
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| IXFH94N30P3 | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier | IXYS[IXYS Corporation] | 195.79 Kbytes | 共6頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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