通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：150 A
最大漏源電壓：300 V
最大漏源電阻值：19 m0hms
最大柵閾值電壓：5V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：TO-264
安裝類型：通孔
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：1.3 kW
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+150 °C
每片芯片元件數(shù)目：1
長度：19.96mm
高度：26.16mm
系列：HiperFET, Polar3
寬度：5.13mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：197 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：12100 pF@ 25 V
典型關斷延遲時間：74 ns
典型接通延遲時間：44 ns
尺寸：19.96 x 5.13 x 26.16mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs