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IXFK170N20T
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-264-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:170 A

Rds On-漏源導通電阻:11 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:265 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:1.15 kW

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HiPerFET

封裝:Tube

高度:26.16 mm

長度:19.96 mm

系列:IXFK170N20

晶體管類型:1 N-Channel

類型:GigaMOS Power MOSFET

寬度:5.13 mm

商標:IXYS

正向跨導 - 最小值:85 S

下降時間:22 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:28 ns

工廠包裝數量:25

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:80 ns

典型接通延遲時間:33 ns

單位重量:10 g

介紹圖IXFK170N20T
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