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IXFK320N17T2
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝:25

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:GigaMOS??

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss):170V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):320A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 60A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):640nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45000pF @ 25V

功率 - 最大值:1670W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA

供應(yīng)商器件封裝:TO-264AA(IXFK)

介紹圖IXFK320N17T2
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IXFK320N17T2GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)190.97 Kbytes共6頁IXFK320N17T2的PDF文件地址 IXFK320N17T2的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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