通道類(lèi)型：N
最大連續(xù)漏極電流：48 A
最大漏源電壓：600 V
最大漏源電阻值：140 m0hms
最大柵閾值電壓：6.5V
最大柵源電壓：-30 V、+30 V
封裝類(lèi)型：TO-264
安裝類(lèi)型：通孔
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類(lèi)別：功率 MOSFET
最大功率耗散：1 kW
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+150 °C
每片芯片元件數(shù)目：1
長(zhǎng)度：19.96mm
高度：26.16mm
系列：HiperFET, Q3-Class
寬度：5.13mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：140 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：7020 pF @ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：40 ns
典型接通延遲時(shí)間：37 ns
尺寸：19.96 x 5.13 x 26.16mm
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs