通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：80 A
最大漏源電壓：500 V
最大漏源電阻值：65 m0hms
最大柵閾值電壓：6.5V
最大柵源電壓：-30 V、+30 V
封裝類型：TO-264
安裝類型：通孔
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：1.25 kW
寬度：5.13mm
典型接通延遲時(shí)間：30 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：43 ns
典型輸入電容值@Vds：10 pF @ 25 V
典型柵極電荷@Vgs：200 nC @ 10 V
晶體管材料：Si
系列：HiperFET, Q3-Class
每片芯片元件數(shù)目：1
最高工作溫度：+150 °C
長(zhǎng)度：19.96mm
高度：26.16mm
尺寸：19.96 x 5.13 x 26.16mm
最低工作溫度：-55 °C
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs