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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-264-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:64 A

Rds On-漏源導通電阻:95 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:145 nC

Pd-功率耗散:1.13 kW

配置:Single

商標名:HiPerFET

封裝:Tube

系列:IXFK64N60

晶體管類型:1 N-Channel

商標:IXYS

正向跨導 - 最小值:60 S, 36 S

下降時間:11 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:17 ns

工廠包裝數(shù)量:25

子類別:MOSFETs

單位重量:7.500 g