古风小说君子以泽,欢乐颂第一季

IXFL34N100
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-264-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV

Id-連續(xù)漏極電流:30 A

Rds On-漏源導通電阻:300 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:550 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HyperFET

封裝:Tube

高度:26.42 mm

長度:20.29 mm

系列:IXFL34N100

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.21 mm

商標:IXYS

下降時間:30 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:65 ns

工廠包裝數(shù)量:25

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:110 ns

典型接通延遲時間:41 ns

單位重量:7.500 g

IXFL34N100

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IXFL34N100	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Backside)	IXYS[IXYS Corporation]		117.88 Kbytes	共2頁		OM6009SA,RJK6014DPP,IXTH28N50Q,MRF21030LR3,HUF75344G3_04,IRFK2DE50,IXFK30N100Q2,RFD16N05_03,HUFA75344G3_04,APT8043BFLL_04		產(chǎn)品購買
IXFL34N100_09	HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264	IXYS[IXYS Corporation]		115.78 Kbytes	共2頁				產(chǎn)品購買