制造商:IXYS
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Chassis Mount
封裝 / 箱體:SOT-227-4
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:500 V
Id-連續(xù)漏極電流:112 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:39 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:250 nC
Pd-功率耗散:1.5 kW
配置:Single
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
系列:IXFN132N50
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:115 S, 68 S
下降時(shí)間:8 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:9 ns
工廠包裝數(shù)量:10
子類(lèi)別:MOSFETs
單位重量:30 g