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IXFN130N30
規(guī)格信息:

標準包裝:10

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 模塊

系列:HiPerFET??

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓(Vdss):300V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):130A

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 500mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):380nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14500pF @ 25V

功率 - 最大值:700W

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B

介紹圖IXFN130N30
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IXFN130N30HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)162.16 Kbytes共4頁IXFN130N30的PDF文件地址NTD4809NH,NTD4810NH,NTD4813NH,NTD4815NH,IXFK180N10,NTGS4111P,IXFR34N80,NTK3134N,NTK3139P,NTJS3151P IXFN130N30的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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