制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Chassis Mount
封裝 / 箱體:SOT-227-4
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:300 V
Id-連續(xù)漏極電流:115 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:700 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
高度:9.6 mm
長(zhǎng)度:38.2 mm
系列:IXFN140N30
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:25.07 mm
商標(biāo):IXYS
下降時(shí)間:20 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:30 ns
工廠包裝數(shù)量:10
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:100 ns
典型接通延遲時(shí)間:30 ns
單位重量:30 g