制造商:IXYS
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:Chassis Mount
封裝 / 箱體:SOT-227-4
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:115 A
Rds On-漏源導通電阻:18 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:240 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:680 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:HiPerFET
封裝:Tube
高度:12.22 mm
長度:38.23 mm
系列:IXFN140N20
晶體管類型:1 N-Channel
類型:PolarHT HiPerFET Power MOSFET
寬度:25.42 mm
商標:IXYS
正向跨導 - 最小值:50 S
下降時間:90 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:35 ns
工廠包裝數量:10
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:150 ns
典型接通延遲時間:30 ns
單位重量:30 g