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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Chassis Mount

封裝 / 箱體:SOT-227-4

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:250 V

Id-連續(xù)漏極電流:168 A

Rds On-漏源導通電阻:12.9 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:364 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:900 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HiPerFET

封裝:Tube

高度:12.22 mm

長度:38.23 mm

系列:IXFN180N25

晶體管類型:1 N-Channel

類型:GigaMOS Power MOSFET

寬度:25.42 mm

商標:IXYS

正向跨導 - 最小值:90 S

下降時間:20 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:52 ns

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:88 ns

典型接通延遲時間:35 ns

單位重量:30 g