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通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：170 A

最大漏源電壓：650 V

最大漏源電阻值：13 m0hms

最大柵閾值電壓：5V

最小柵閾值電壓：3.5V

最大柵源電壓：±30 V

封裝類型：SOT227

安裝類型：表面貼裝

晶體管配置：單

引腳數(shù)目：4

通道模式：增強(qiáng)

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：1.17 kW

典型接通延遲時(shí)間：60 ns

典型關(guān)斷延遲時(shí)間：133 ns

典型輸入電容值@Vds：27 pF @ 25 V

典型柵極電荷@Vgs：434 @ 10 V nC

最高工作溫度：+150 °C

高度：9.6mm

系列：HiperFET

每片芯片元件數(shù)目：1

寬度：25.07mm

長(zhǎng)度：38.23mm

正向跨導(dǎo)：90S

正向二極管電壓：1.4V

尺寸：38.23 x 25.07 x 9.6mm

最低工作溫度：-55 °C

無(wú)鉛情況/RoHs：否