制造商:IXYS
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Chassis Mount
封裝 / 箱體:SOT-227-4
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流:20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:570 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:6.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:193 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:595 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
高度:12.22 mm
長(zhǎng)度:38.23 mm
系列:IXFN20N120
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
類(lèi)型:Polar Power MOSFET HiPerFET
寬度:25.42 mm
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:10 S
下降時(shí)間:70 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:45 ns
工廠包裝數(shù)量:10
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:72 ns
典型接通延遲時(shí)間:49 ns
單位重量:30 g