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IRFD9120PBF
規(guī)格信息：

制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:HVMDIP-4

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:1 A

Rds On-漏源導通電阻:600 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:18 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:1.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:3.37 mm

長度:6.29 mm

系列:IRFD

晶體管類型:1 P-Channel

寬度:5 mm

商標:Vishay / Siliconix

正向跨導 - 最小值:0.71 S

下降時間:25 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:29 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:21 ns

典型接通延遲時間:9.6 ns

IRFD9120PBF

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	廠商LOGO	PDF大小	PDF頁數(shù)	PDF文件	相關(guān)型號	第一頁預(yù)覽	產(chǎn)品購買
IRFD9120PBF	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]		1875.03 Kbytes	共8頁		RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06		產(chǎn)品購買
IRFD9120PbF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1A 漏源電壓（Vdss）：-100V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：600mΩ @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)		1.85 Mbytes	共8頁				產(chǎn)品購買