FET類型：P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：1.6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 1μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：19nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：570pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：280 毫歐 @ 960mA，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：4-DIP
封裝形式Package：HVMDIP-4
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
連續(xù)漏極電流ID：1.6A
漏源極導通電阻RDS(ON)：280mOhms
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs