FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：50V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：1.1A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：11nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：240pF @ 25V
功率耗散（最大值）：1W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：500 毫歐 @ 580mA，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封裝/外殼：4-DIP
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs