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FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：800mA（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：14nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：260pF @ 25V

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：800 毫歐 @ 480mA，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

封裝/外殼：4-DIP

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs