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制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:HVMDIP-4

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:1 A

Rds On-漏源導通電阻:540 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:8.3 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:1.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:3.37 mm

長度:6.29 mm

系列:IRFD

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5 mm

商標:Vishay / Siliconix

正向跨導 - 最小值:0.8 S

下降時間:9.4 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:16 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:15 ns

典型接通延遲時間:6.9 ns

單位重量:300 mg