FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：1.7A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：11nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：310pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：200 毫歐 @ 1A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：4-DIP
封裝形式Package：HVMDIP-4
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
連續(xù)漏極電流ID：1.7A
漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)：200mOhms
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs