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IRFBE30S
規(guī)格信息：

標(biāo)準(zhǔn)包裝：50

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：-

包裝：管件

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）：800V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：4.1A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 2.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：78nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1300pF @ 25V

功率 - 最大值：125W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK

其它名稱：*IRFBE30S

IRFBE30S

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFBE30S	HEXFET?? Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	473.61 Kbytes	共6頁(yè)	IRFBA1405PPBF,IRFPG30PBF,IR710PBF,RJK6014DPP,IRLL014,IRFBC40SPBF,IRFR9120PBF,IRFBC30APBF,IRF7F3704,IRFI614GPBF	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFBE30S	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	1203.46 Kbytes	共8頁(yè)	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFBE30SPBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	588.09 Kbytes	共10頁(yè)	IRFZ34VPBF,IRLZ4S,IRFC240,IRF3704ZCSPBF,IRFB4321PBF,IRFP150VPBF,IRL1004SPBF,IRF3704Z,IRF730ASPBF,IRF7832ZPBF	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFBE30SPBF	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	1203.46 Kbytes	共8頁(yè)	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFBE30STRL	MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK	Vishay Siliconix	167.58 Kbytes	共6頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFBE30STRLPBF	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	1203.46 Kbytes	共8頁(yè)	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFBE30STRR	MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK	Vishay Siliconix	167.58 Kbytes	共6頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)