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IRFBE30
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):800V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):78nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1300pF @ 25V

功率耗散(最大值):125W(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 2.5A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-220AB

封裝/外殼:TO-220-3

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IRFBE30
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IRFBE30Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網167.56 Kbytes共6頁IRFBE30的PDF文件地址SHD244702,SBF50P10-023L,IRFPE30,SHD224701,JANTX2N6794,SHD225701,STD60N55,CMT60N03,MMDF3N03HD,MMSF3305 IRFBE30的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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IRFBE30STRLMOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAKVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網167.58 Kbytes共6頁IRFBE30STRL的PDF文件地址 IRFBE30STRL的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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IRFBE30STRRMOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAKVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網167.58 Kbytes共6頁IRFBE30STRR的PDF文件地址 IRFBE30STRR的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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