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通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：2.4 A

最大漏源電壓：50 V

最大漏源電阻值：100 m0hms

最小柵閾值電壓：2V

最大柵源電壓：-20 V、+20 V

封裝類型：HVMDIP

安裝類型：通孔

晶體管配置：單

引腳數(shù)目：4

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：1 W

高度：3.37mm

每片芯片元件數(shù)目：1

尺寸：5 x 6.29 x 3.37mm

最高工作溫度：+150 °C

晶體管材料：Si

典型柵極電荷@Vgs：16 nC @ 10 V

典型輸入電容值@Vds：400 pF @ 25 V

典型關(guān)斷延遲時間：16 ns

典型接通延遲時間：8.7 ns

最低工作溫度：-55 °C

長度：5mm

寬度：6.29mm

無鉛情況/RoHs：否