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產(chǎn)品種類：MOSFET

晶體管極性：N-Channel

汲極/源極擊穿電壓：100 V

閘/源擊穿電壓：+/- 20 V

漏極連續(xù)電流：1.3 A

導(dǎo)通電阻：270 mOhms

配置：Single Dual Drain

最大工作溫度：+ 150 C

安裝風(fēng)格：Through Hole

封裝 / 箱體：HexDIP-4

封裝：Tube

商標(biāo)：Vishay / Siliconix

下降時間：27 ns

最小工作溫度：- 55 C

功率耗散：1300 mW

上升時間：27 ns

工廠包裝數(shù)量：2500

典型關(guān)閉延遲時間：18 ns

ROHS： 含鉛