FET類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：600mA（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：8.2nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：140pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：1W（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.5 歐姆 @ 360mA，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：4-DIP
封裝形式Package：HVMDIP-4
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：200V
連續(xù)漏極電流ID：600mA
漏源極導通電阻RDS(ON)：1.5Ohms
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs