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制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:HVMDIP-4

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:800 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:800 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:14 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

系列:IRFD

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):Vishay / Siliconix

正向跨導(dǎo) - 最小值:0.6 S

下降時(shí)間:13 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:22 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19 ns

典型接通延遲時(shí)間:7.2 ns